协同发展了一种基于导电原子力显微镜的纳米器件制备技术,使得纳米线、单电子晶体管、电子波导等量子器件可以如“作画”一般地被创造,使得氧化物界面的强关联性质可以被编程到纳米尺度。 目前主要研究氧化物纳米电子学在拓扑量子计算与固体量子模拟等量子技术中的应用。同时发展极低温扫描探针技术,用于成像与操控极低温环境中一系列新奇的量子态。更多信息参见课题组澳门太阳集团城welcome主页 epsilon.ustc.edu.cn 2005年9月-2011年4月,美国匹兹堡大学,凝聚态物理,博士 2003年9月-2005年8月,美国匹兹堡大学,凝聚态物理,硕士 1998年9月-2003年6月,中国科学技术大学,应用物理,学士
2016年9月至今,中国科学技术大学物理学院,微尺度物质科学国家研究中心,教授。 2014年9月-2016年8月,匹兹堡量子研究所,匹兹堡大学,研究助理教授 2011年9月-2014年8月,匹兹堡大学物理与天文系,博士后 2010年1月-2010年5月,惠普实验室,实习研究员 2004年6月-2011年4月,匹兹堡大学物理与天文系,助理研究员
1 | 中国科学技术大学探索基金, “极端环境强关联电子系统的实空间研究”,2019年11月-2021年10月,100万,在研,主持 | 2 | 国家自然科学基金委面上项目,11874054,钛酸锶电子系统中应变效应的量子输运研究, 2019年1月-2022年12月,64万,在研,主持 | 3 | 国家科技部重点研发计划,2018yfa0306600,“金刚石色心量子相干控制及应用研究”中子课题“固态量子器件研究”,2018年7月-2023年6月,2709万,在研,参加 |
guanglei cheng; anil annadi; shicheng lu; hyungwoo lee; jung-woo lee; mengchen huang; chang-beom eom; patrick irvin; jeremy levy; shubnikov-de haas-like quantum oscillations in artificial one-dimensional laalo3/srtio3 electron channels, physical review letters, 2018, 120: 076801. guanglei cheng; michelle tomczyk; alexandre b. tacla; hyungwoo lee; shicheng lu; josh veazey; mengchen huang; patrick irvin; sangwoo ryu; chang-beom eom; andrew daley; david pekker; jeremy levy; tunable electron-electron interactions in laalo3/srtio3 nanostructures, physical review x, 2016, 6(4): 041042. guanglei cheng; michelle tomczyk; shicheng lu; joshua veazey; mengchen huang; patrick irvin; sangwoo ryu; hyungwoo lee; chang-beom eom; c. stephen hellberg; jeremy levy; electron pairing without superconductivity, nature, 2015, 521(7551): 196-199. guanglei cheng; joshua veazey; patrick irvin; cheng cen; daniela f.bogorin; feng bi; mengchen huang; shicheng lu; chung-wung bark; sangwoo ryu;kwang-hwan cho; chang-beom eom; jeremy levy; anomalous transport in sketched nanostructures at the laalo3/srtio3 interface, physical review x, 2013, 3(1):011021. guanglei cheng; pablo siles; feng bi; cheng cen; daniela bogorin; chung wung bark; chad folkman; jae-wan park; chang-beom eom; gilberto medeiros-ribeiro; jeremy levy; sketched oxide single-electron transistor, nature nanotechnology, 2011, 6(6): 343-347.
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